{"id":108731,"date":"2025-11-28T12:31:22","date_gmt":"2025-11-28T12:31:22","guid":{"rendered":"https:\/\/enfoquenoticioso.com\/?p=108731"},"modified":"2025-11-28T12:31:22","modified_gmt":"2025-11-28T12:31:22","slug":"samsung-crea-una-memoria-96-mas-eficiente-que-la-nand","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/enfoquenoticioso.com\/?p=108731","title":{"rendered":"Samsung crea una memoria 96% m\u00e1s eficiente que la NAND"},"content":{"rendered":"
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Samsung<\/strong> ha desarrollado una tecnolog\u00eda que podr\u00eda revolucionar los chips de memoria de pr\u00f3xima generaci\u00f3n. El gigante tecnol\u00f3gico anunci\u00f3 un adelanto que incrementa la capacidad de almacenamiento sin requerir m\u00e1s potencia. Lo m\u00e1s incre\u00edble de esta nueva tecnolog\u00eda es que solo consume una fracci\u00f3n de energ\u00eda comparada con las memorias convencionales.<\/p>\n

De acuerdo con un estudio publicado en la revista Nature<\/em><\/a>, investigadores de Samsung crearon una memoria que permite aumentar la capacidad<\/strong> sin impactar el consumo. La nueva tecnolog\u00eda est\u00e1 basada en transistores ferroel\u00e9ctricos (FeFETs) capaces de operar con un voltaje de paso casi nulo. Seg\u00fan las primeras pruebas, las nuevas memorias reducir\u00edan el consumo energ\u00e9tico hasta en un 96%<\/strong> frente a la NAND convencional.<\/p>\n

Esto es posible gracias a una capa ferroel\u00e9ctrica de hafnio dopada con circonio, la cual permite que las celdas de memoria mantengan estados estables sin necesidad de aplicar un alto voltaje de paso. La tecnolog\u00eda no solo requiere menor electricidad, sino que tambi\u00e9n minimiza los disturbios de lectura\/paso<\/strong>, mejorando la retenci\u00f3n y la durabilidad.<\/p>\n

En t\u00e9rminos de espacio, los FeFETs pueden almacenar hasta 5 bits por celda<\/strong> con una estabilidad similar o mayor a la NAND. Los investigadores se\u00f1alan que el consumo energ\u00e9tico se mantiene al m\u00ednimo incluso en estructuras apiladas o con longitud de canal corta. Esto \u00faltimo es importante, puesto que el almacenamiento multinivel (3D) de las memorias actuales requiere un alto voltaje de paso.<\/p>\n

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Tabla de Contenido<\/p>\nToggle<\/span><\/path><\/svg><\/svg><\/span><\/span><\/span><\/a><\/span><\/div>\n