{"id":109325,"date":"2025-12-01T16:31:02","date_gmt":"2025-12-01T16:31:02","guid":{"rendered":"https:\/\/enfoquenoticioso.com\/?p=109325"},"modified":"2025-12-01T16:31:02","modified_gmt":"2025-12-01T16:31:02","slug":"huawei-tiene-una-patente-con-la-que-fabricar-chips-de-2-nm-el-unico-problema-es-que-solo-es-una-patente","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/enfoquenoticioso.com\/?p=109325","title":{"rendered":"Huawei tiene una patente con la que fabricar chips de 2 nm. El \u00fanico problema es que solo es una patente"},"content":{"rendered":"
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Huawei acaba de solicitar una patente en la cual se revela un nuevo y singular proceso de producci\u00f3n de chips avanzados<\/a>. La patente se centra en mejorar una de las limitaciones de la tecnolog\u00eda de fotolitograf\u00eda de ultravioleta profundo<\/a> (UVP) para intentar competir as\u00ed con las m\u00e1quinas de ultravioleta extremo<\/a> (UVE) a las que China sigue sin lograr acceder<\/a>. Hay aqu\u00ed, eso s\u00ed, muchas incertidumbres.<\/p>\n

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La patente<\/strong>.\u00a0Huawei present\u00f3 formalmente la documentaci\u00f3n t\u00e9cnica en junio de 2022 ante la oficina de patentes china, lo que permiti\u00f3 \u00abproteger\u00bb la invenci\u00f3n desde entonces. El contenido detallado de su estudio se hizo p\u00fablico en enero de 2025, pero es ahora cuando ha salido a la luz<\/a>. La patente solo est\u00e1 solicitada, no concedida ni otorgada. La oficina de patentes est\u00e1 examinando la solicitud para determinar si cumple con los requisitos.\u00a0<\/p>\n

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Por qu\u00e9 es importante<\/strong>. Dicha patente trata de abordar las limitaciones del llamado error de colocaci\u00f3n de bordes (EPE, Edge Placement Error<\/a>) en el proceso avanzado de interconexi\u00f3n que se utiliza al fabricar chips avanzados. El m\u00e9todo descubierto hace te\u00f3ricamente posible utilizar \u00abespaciamientos de metal\u00bb inferiores a 21 nm, incluso cuando se utiliza tecnolog\u00eda de ultravioleta profundo (UVP) en lugar de ultravioleta extremo (UVE), que es la tecnolog\u00eda fotolitogr\u00e1fica m\u00e1s avanzada en la actualidad… y a la que no tienen acceso fabricantes chinos como Huawei. De lograr su objetivo, la firma podr\u00eda tener acceso por ejemplo a chips que competir\u00edan te\u00f3ricamente hasta con los chips fabricados con fotolitograf\u00eda de 2 nm<\/a>.\u00a0<\/p>\n

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\u00bfEspaciamiento del metal?<\/strong> Ese t\u00e9rmino (metal pitch<\/em> en ingl\u00e9s) se refiere a la distancia m\u00ednima<\/a> que existe entre las l\u00edneas met\u00e1licas que forman las interconexiones dentro del circuito integrado o, en este caso, el chip. Estas l\u00edneas transportan la energ\u00eda y se\u00f1ales de datos entre los transistores, y ese espaciamiento de metal es extraordinariamente peque\u00f1o para nodos avanzados. El objetivo de la patente es precisamente permitir la fabricaci\u00f3n de esas l\u00edneas con un espaciamiento inferior a 21 nm. Eso da pie a un posible proceso que podr\u00eda competir con la fotolitograf\u00eda UVE de 2nm que por ejemplo utiliza TSMC. La palabra importante ah\u00ed es \u00abpodr\u00eda\u00bb.<\/p>\n

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Error de colocaci\u00f3n de borde (EPE)<\/strong>. El EPE es el error que ocurre cuando un patr\u00f3n en un chip no se coloca exactamente donde se pretend\u00eda por el dise\u00f1o del chip. Cuanto m\u00e1s estrecho es ese espaciamiento del metal, menor debe ser el margen de EPE para evitar que las l\u00edneas se toquen y provoquen un cortocircuito. A esta escala es incre\u00edblemente complejo solucionar ese problema, y la patente de Huawei precisamente plantea una forma de lograrlo.<\/p>\n

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Supervitaminando la litograf\u00eda \u00abantigua\u00bb<\/strong>. Lo que posibilita este m\u00e9todo es que la fotolitograf\u00eda UVP, menos potente y avanzada que la UVE, se pueda utilizar para competir con ella. Este m\u00e9todo permitir\u00eda \u00absaltarse\u00bb los l\u00edmites que ahora afronta ese proceso, y que normalmente ten\u00eda muchas dificultades para ir m\u00e1s all\u00e1 de los 21 nm. Se introduce un proceso de doble mascarilla dura de dos materiales y un esquema de patronaje especial que te\u00f3ricamente permiten bajar de los 21 nm e incluso de los 5 nm<\/a> que ya son muy complicados de lograr con UVE. En resumen: China podr\u00eda lograr chips avanzados sin necesidad de usar las m\u00e1quinas m\u00e1s avanzadas de ASML<\/a>, a las que no tiene acceso.<\/p>\n

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Pero<\/strong>. Aunque la t\u00e9cnica es aparentemente llamativa, hay aqu\u00ed dos grandes problemas. El primero y m\u00e1s importante, que esto es solo una patente y eso no significa que el proceso se pueda trasladar a la realidad. Las dificultades para hacerlo son enormes, y eso nos lleva al segundo problema: la efectividad de la producci\u00f3n ser\u00eda probablemente muy baja y el yield<\/em> (tasa de \u00e9xito del proceso) se ver\u00eda muy afectado. Es decir: de todos los chips producidos te\u00f3ricamente con esa t\u00e9cnica, solo ser\u00edan v\u00e1lidos una peque\u00f1a parte, lo que har\u00eda que se desperdiciara una enorme parte de la inversi\u00f3n.<\/p>\n

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En Xataka | En su carrera por lograr fabricar chips avanzados, China ha intentado copiar a ASML. Le est\u00e1 saliendo mal<\/a><\/p>\n<\/p><\/div>\n

Ver fuente<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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